PEALD技術(shù)具有多種優(yōu)點(diǎn)。

　　該技術(shù)可以在非常低的溫度下進(jìn)行，因此可以在溫度敏感的襯底上進(jìn)行薄膜沉積。

 

　　由于該技術(shù)可以在高真空環(huán)境下進(jìn)行，因此可以避免氧化或其他污染物質(zhì)對沉積過(guò)程的干擾。

 

　　該技術(shù)具有非常高的控制性，可以精確控制每個(gè)原子層的沉積，從而實(shí)現高度一致的薄膜。

 

　　PEALD系統通常由兩個(gè)獨立的反應腔室組成，一個(gè)為前驅體腔室，另一個(gè)為等離子體腔室。前驅體腔室用于存儲和蒸發(fā)前驅體，而等離子體腔室用于產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行沉積。在雙腔室系統中，前驅體和反應氣體在兩個(gè)獨立的腔室中分別引入，然后進(jìn)行沉積反應。

 

　　在該技術(shù)中，前驅體和反應氣體通過(guò)雙腔室系統被引入等離子體腔室中，然后被加熱至高溫以激活化學(xué)反應。等離子體會(huì )將前驅體轉化為氣相中的活性物種，并使其與襯底表面反應形成一層非常致密的原子層。然后，反應氣體被引入以清除未反應的前驅體和副產(chǎn)物，從而形成下一層原子層。這個(gè)過(guò)程可以不斷重復，直到需要的薄膜厚度達到為止。

 

　　該技術(shù)的應用非常廣泛，包括制造微電子器件、光學(xué)元件、傳感器和生物醫學(xué)器械。

 

　　在微電子領(lǐng)域，經(jīng)常用于制造高質(zhì)量的絕緣層、金屬閘極和導電氧化物。

 

　　在光學(xué)領(lǐng)域，則被用于制備光學(xué)薄膜、透鏡和反射鏡。

 

　　總的來(lái)說(shuō)，雙腔室高真空等離子體PEALD技術(shù)是一種非常有前途的薄膜沉積技術(shù)。該技術(shù)可以在非常低的溫度下進(jìn)行，具有高度的控制性和均勻性，因此被廣泛應用于微電子、光學(xué)和生物醫學(xué)等領(lǐng)域。