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廈門(mén)韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團隊創(chuàng )立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設備開(kāi)發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,2021年入選高新技術(shù)企業(yè),2022年入選廈門(mén)專(zhuān)精特新技術(shù)企業(yè),是一家以納米級薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領(lǐng)域全棧式薄膜沉積方案供應商,為客戶(hù)提供全面的技術(shù)解決方案以及先進(jìn)的納米材料薄膜沉積裝備,針對先進(jìn)制造國產(chǎn)化的痛點(diǎn),開(kāi)發(fā)自主設備。

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  • 等離子體原子層沉積技術(shù)是一種薄膜制備方法,它在傳統原子層沉積(ALD)技術(shù)的基礎上,引入了等離子體輔助手段,從而實(shí)現了更高的沉積速率、更好的薄膜質(zhì)量和更廣泛的材料選擇。一、原理等離子體原子層沉積技術(shù)的基本原理與傳統ALD技術(shù)相似,都是基于自限制表面反應的原理。在PEALD過(guò)程中,首先通過(guò)脈沖式地向反應腔內通入前驅體氣體,使其在基體表面吸附并發(fā)生化學(xué)反應。隨后,通過(guò)等離子體源產(chǎn)生等離子體,激活已吸附的前驅體分子,促使其進(jìn)一步與反應氣體發(fā)生反應,形成薄膜。通過(guò)控制脈沖時(shí)間和等離子...
  • 電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是一種薄膜制備方法,它利用高能電子束將材料蒸發(fā)并沉積在基體上,形成一層薄膜。一、新材料制備的需求與挑戰新材料是推動(dòng)科技進(jìn)步的重要因素之一。隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對新材料的性能要求越來(lái)越高,這就需要在制備過(guò)程中實(shí)現對材料成分、結構和性能的精確控制。傳統的制備方法往往難以滿(mǎn)足這些要求,因此,尋求一種高效、可控的制備方法成為新材料領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。二、電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有以下顯著(zhù)特點(diǎn):高能量密度:電子束具有很高的能量密度,能夠使材料在短時(shí)間內達到蒸發(fā)溫度...
  • 分子層沉積技術(shù)是一種薄膜沉積方法,它通過(guò)逐層控制化學(xué)反應來(lái)精確控制薄膜的生長(cháng)。在半導體工業(yè)中,已經(jīng)成為制造集成電路的關(guān)鍵工藝之一,并展現出廣闊的應用前景。半導體工業(yè)對薄膜沉積技術(shù)的要求極為嚴格,因為薄膜的性質(zhì)直接影響到半導體器件的性能和壽命。之所以在這一領(lǐng)域受到重視,原因在于它具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):1.厚度控制:可以精確地控制薄膜的原子層厚度,這對于制造納米尺度的半導體器件尤其重要。2.表面覆蓋:可以很好地覆蓋復雜形狀的基材表面,這對于形成均勻的薄膜是至關(guān)重要的。3.溫度適應性:...

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  • 一、技術(shù)原理超高真空鍍膜技術(shù),其核心在于“超高真空”環(huán)境。在此環(huán)境下,通過(guò)物理或化學(xué)方法,將鍍膜材料沉積到基材表面,形成一層薄膜。這一過(guò)程涉及材料的蒸發(fā)、凝結和化學(xué)反應,實(shí)現基材表面性能的改善和增強。由于超高真空環(huán)境提供了無(wú)塵、低氣體干擾的條件,因此能夠獲得高純度、高均勻性的膜層。二、技術(shù)優(yōu)勢高純度:超高真空環(huán)境保證了鍍膜材料的高純度,從而提高了膜層的質(zhì)量。高均勻性:在超高真空下,鍍膜材料能夠均勻沉積在基材表面,形成均勻的膜層。良好的附著(zhù)性:由于鍍膜材料與基材之間的結合力強,...
  • 原子層沉積設備因其優(yōu)異的薄膜質(zhì)量、精確的厚度控制和廣泛的材料適用性而在眾多領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。一、材料適應性在材料適應性方面表現出色。由于其基于自限制表面反應的原理,ALD技術(shù)可以適應多種材料,包括金屬、金屬氧化物、氮化物、硫化物等。這使得原子層沉積設備在微電子、光電子、催化、生物醫學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。為了進(jìn)一步提升材料適應性,研究者們不斷探索新的前驅體和反應氣體組合。通過(guò)選擇具有高反應活性和良好熱穩定性的前驅體,以及優(yōu)化反應條件,可以實(shí)現對更多材料的ALD沉積。此外,...
  • 原子層沉積系統和化學(xué)氣相沉積是兩種廣泛應用于薄膜制備的技術(shù)。它們各自具備特點(diǎn)和優(yōu)勢,但在應用場(chǎng)景和性能表現上也存在顯著(zhù)差異。一、基本原理原子層沉積系統:基于自限制表面反應原理,通過(guò)交替通入前驅體氣體和吹掃氣體,實(shí)現薄膜的逐層生長(cháng)。在每個(gè)生長(cháng)周期中,前驅體氣體在基體表面吸附并發(fā)生化學(xué)反應,形成單層薄膜。通過(guò)控制生長(cháng)周期數,可以精確控制薄膜的厚度?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD):CVD技術(shù)是通過(guò)將氣態(tài)前驅體導入反應室,在高溫下使其發(fā)生化學(xué)反應并沉積在基體表面形成薄膜。CVD過(guò)程通常涉及氣...

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